1、答案当加于二极管两端反向电压增大到一定值时，二极管的反向电流将随反向电压的增加而急剧增大，这种现象称为反向击穿反向击穿后，反向电压很小的变化就会产生很大的电流变化，而且有恒压特性，若此时反向电流不加限制，就会因管耗过大而损坏反向电压足够大时，PN结的内电场加强，使少子漂移速度；二极管的基本工作原理中，存在两种反向击穿现象齐纳击穿和雪崩击穿在高掺杂浓度的二极管中，当反向电压增大到一定程度，势垒区的宽度变得微小，其内的共价键结构不再稳定这会导致价电子脱离束缚，形成电子空穴对，电流突然大幅增加，这就是齐纳击穿现象相比之下，当掺杂浓度较低，势垒区较宽时；以下给出二极管反向击穿电压的理性定义外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压电击穿时二极管失去单向导电性如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则；外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压电击穿时二极管失去单向导电性如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了因而使用时应避免二极管外；当pn结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为二极管的反向击穿现象一如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强这样多数载流子将在外电场力的；反向击穿，是器件在受到的反向电压超过了它的耐压极限时发生的器件毁坏，quot击穿quot意味着其失去了应有的阻值，内部短路，会影响电路正常运行如二极管的反向电压参数就是防止其损坏的电流击穿是器件受到超载荷电流使其损坏热击穿是超出器件材料能承受的热量或环境温度过高，造成器件损坏；二极管反向击穿是指在二极管的反向偏压即PN结的正向和反向达到一定值时，经过增加偏压，二极管导通电流增加反向击穿电压是指二极管在反向偏压下导通所需的最小电压值当反向偏压超过了反向击穿电压时，二极管就会导通，此时叫做反向击穿。

2、二极管反向击穿是指稳压二极管在反向电压达到一定数值时，反向电流突然增大，进入击穿区，此时反向电压能在很大反向电流范围内保持不变的现象它是利用二极管被反向击穿后，在一定反向电流范围内反向电压不随反向电流变化这一特点进行稳压的当反向电流继续增大到一定数值后，稳压二极管则会被彻底击穿而损坏。

3、1当外加的反向电压增大到某一数值后，反向电流会急剧增大，二极管主要就是二极管里的PN结将失去单向导电性，此状态二极管反向击穿2大部分二极管反向击穿后，因温度过高而被烧毁主要是里面的PN结被烧毁了3少部分二极管的温度还不高里面PN结还没被烧毁，可在反向击穿状态下工作，这种。

4、反向击穿现象器件设计和参数表示1反向击穿现象在特定条件下，二极管或其余电子元件的正向电压低于零时，会发生反向击穿现象也就是说，当反向电压超过元件的额定值时，会产生很高的反向电流这时，峰值耐受电流就会以负值表示2器件设计和参数表示在一些元件的规格表中，特别是那些需要考虑反向。

5、击穿指的是正向和反向击穿正向击穿一般是由于负载过重，电流过大所致反向击穿一般是由于电容放电电源反接很少一部分也有静电所致，两种情况一般都是正反向测量都显示较小电阻；当施加在二极管两端的反向电压增大到一定数值时，反向电流急剧加大，这种现象叫反向击穿击穿时的反向电压称为反向击穿电压，不同的二极管，反向击穿电压不一样产生反向击穿的原因是由于外加反向电压太高时，在强电场的作用下，空穴和电子数量大大增多，使反向电流急剧增大在反向电流和反向电压的乘积不超；轻微击穿的小‘坑’漏电为几微安，大的是毫安级别了未被静电击伤的LED漏电流式是非常小的，几乎是0微安 LED反向击穿 通常是一个恒定的直流电压，电流大安级别了吧反向加到LED上，一旦LED承受了，也会将LED内部少穿，因为施加的这个电压是持续的，那么LED被烧穿后，很快就烧开路了··上述；当反向电压超过了VBR后，反向电流突然增剧，PN结出现了击穿的现象我们就把这种现象称为反向击穿特性谢谢。

6、2雪崩击穿如果正向工作区AB段负载电流过大反向击穿区CD反向电压过高或限流电阻过小而反向过电流，都会导致二极管的不可恢复击穿这是一种损毁性的击穿，通常是短路状态如果击穿导致短路时产生过大的热量，会导致进一步炸裂或者燃烧，这样就可能是断路状态为避免击穿现象发生，必须根据；在PN结中，当边界层的电动势差超过一个特定的阈值时，就会发生反向击穿现象反向击穿是指由于PN结中边界层电压差非常大，使得N型和P型半导体之间的电动势差足以抵消半导体离子化能，使得N型半导体中的空穴和P型半导体中的电子能够穿过接触层，从而使N型半导体和P型半导体之间的电流增加这种现象称为反向；反向击穿是指在半导体器件如二极管或晶体管的反向电压达到一定值时，电流突然大幅度增加的现象其特征表现包括在正向偏置时，器件的电流较小，反向电阻较大在反向偏置时，器件的电流突然增加，反向电阻急剧降低反向击穿电流一般较大，可能会超过器件的额定电流，导致器件过载损坏反向击穿电压一般。